铜钽氧化物的介电行为
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
本文详细阐述了Cu2Ta4O12的介电特性研究。该材料晶体结构为伪立方体、仿单户结构。我们在25-500 K的温度范围内，对单晶在最高可达GHz频率的异常宽广频率范围内测量了介电常数和导电性。检测到的介电常数异常高（可达10^5），在宽广的频率和温度范围内几乎保持不变。Cu2Ta4O12的晶体结构类似于CaCu3Ti4O12，而后者是首次观察到如此异常高介电常数的化合物。通过简单等效电路模型的分析以及不同类型电极接触的测量结果表明，外在界面电极化效应（源自表面势垒电容）是导致观察到的巨型介电常数的原因。Cu2Ta4O12的内在性质表现为约100量级的介电常数，并通过Anderson局域载流子的隧穿导电实现电荷传输。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310150,
title = {Dielectric behavior of Copper Tantalum Oxide},
author = {B. Renner and P. Lunkenheimer and M. Schetter and A. Loidl and A. Reller and S. G. Ebbinghaus},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310150},
year = {2009}
}
备注
18 pages, 6 figures, submitted to Jouranl of Physical Chemestry