对角梯子：强耦合电子系统的一类新模型

我们引入了一类定义在具有由$n_p$个plaquette生成的对角结构的梯子上的模型。$n_p=1$的情况对应于项链梯子，并具有显著的性质，我们使用DMRG和递推变分拟设对其进行了研究。该梯子上的AF海森堡模型等价于已知具有亚铁磁基态(GS)的交替自旋-1/自旋-1/2 AFH链。对于1/3掺杂，基态是一个完全掺杂的(1,1)条纹，空穴主要位于主对角线上，而次对角线被自旋单重态占据。这种状态可以看作是plaquette上局域化库珀对的莫特绝缘体。我们结果的一个物理图像由$t_p-J_p$模型提供，该模型描述通过跳跃参数$t_d$对角耦合的plaquette。在$t_d \to \infty$的极限下，我们恢复了项链梯子上的原始$t-J$模型，而对于弱跳跃参数，该模型易于求解。强跳跃区域的基态本质上是弱跳跃基态的“链上”Gutzwiller投影。我们将$t_p-J_p-t_d$模型推广到$n_p > 1$的对角梯子和二维正方晶格。我们在构建中使用了统计力学中熟悉的概念，如中间图（medial graphs）和Bratelli图。