增强型横向漂移传感器的研制与仿真
仪器与探测器
2019-05-22 v1 高能物理 - 实验
摘要
我们提出一种称为增强型横向漂移（ELAD）传感器的新型硅径迹传感器概念。在 ELAD 传感器中，电离粒子击中位置的空间分辨率通过专用的电荷共享机制得到改善，该机制由传感器体区内横向方向的非均匀电场实现。非均匀电场由相对于体区背景浓度具有更高浓度的埋层掺杂注入区产生。由此产生的位置相关电荷共享允许对击中位置进行改进插值。已针对 2D 与 3D 几何结构开展了基于 TCAD 的电场仿真，并对 2D 几何结构进行了带电穿行粒子的瞬态仿真。进一步优化了电场分布以用于位置分辨率。仿真显示电荷共享机制对埋层注入浓度有强烈依赖。埋层注入浓度的最优值可实现两个读出电极间作为击中位置函数的近乎线性的电荷共享。此外，概述了结合硅外延与离子束注入的预期制备工艺。
引用
@article{arxiv.1905.03119,
title = {Development and simulations of Enhanced Lateral Drift Sensors},
author = {Anastasiia Velyka and Hendrik Jansen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.03119},
year = {2019}
}
备注
9$^{\text{th}}$ International Workshop on Semiconductor Pixel Detectors for Particles and Imaging, DESY 19-081