基于降低模型依赖性的包变 semilepton B 衰变中 |Vub| 的确定
高能物理 - 实验
2010-03-19 v2
摘要
我们报告了两种具有降低模型依赖性的 |Vub| 确定方法，基于对 semilepton B 衰变中喷流系统质量分布的测量。通过完全重构一个 B 介子的衰变并识别另一个 B 介子衰变中带电夸克的衰变，从 Y(4S) 到 BBbar 事件中选取事件。在一种方法中，我们将包变 B 到 X_u l nu 率积分至最大喷流质量 m_X < 1.67GeV，并测量包变 B 到 X_s gamma 光子能谱。我们得到 |Vub| = (4.43 +- 0.38stat +- 0.25syst +- 0.29theo)*10^-3。在另一种方法中，我们测量整个 B 到 X_u l nu 率并发现 |Vub| = (3.84 +- 0.70stat +- 0.30syst +- 0.10theo)*10^-3。
引用
@article{arxiv.hep-ex/0601046,
title = {Determinations of |Vub| from Inclusive Semileptonic B Decays with Reduced Model Dependence},
author = {The BABAR Collaboration and B. Aubert},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-ex/0601046},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 3 postscript figues, submitted to PRL