在 IRC+10216 中检测线性 SiC$_3$ 和 SiC$_5$ 根挥发性分子

我们使用位于 Yebes 40m 射电望远镜上收集的超灵敏线扫描检测了 IRC+10216 中的线性 $^3\Sigma^-$ 根挥发性分子 SiC$_3$ 和 SiC$_5$。$l$-SiC$_3$ 和 $l$-SiC$_5$ 的推导出的列密度分别为 $(3.6\pm0.4)\times10^{12}$ cm$^{-2}$ 和 $(1.8\pm0.2)\times10^{12}$ cm$^{-2}$。线性 SiC$_3$ 根挥发性分子约为其单极性菱形扭长畸构体的 2 倍，后者我们基于最近在 Q 带（7 mm）以及 3 和 2 mm 波段使用 IRAM 30m 望远镜进行的敏感观测提供了新的分析。来自这些物种的发射来自环绕 envelope 的冷外部层。我们推测，这些物种是否可以通过涉及 SiC$_n$H$_m^+$ 阳离子或中性-中性反应 involving Si 和 SiC$_2$ 高效合成。