利用单引线量子点中的单态和三重态检测自旋极化
介观与纳米尺度物理
2012-09-18 v2
摘要
我们提出并演示了一种在低磁场和零磁场下探测半导体微器件中局部自旋极化的新方法。通过将单引线量子点连接到半导体微器件并监测电子隧穿进入量子点中单态和三重态的过程，我们可以检测目标器件中形成的局部自旋极化。我们利用自旋劈裂的量子霍尔边缘态验证了该检测方案的有效性。我们还在低磁场下观察到了器件边缘处非零的局部自旋极化，这是常规宏观探针无法检测到的。
引用
@article{arxiv.1206.5875,
title = {Detection of spin polarization utilizing singlet and triplet states in a single-lead quantum dot},
author = {Tomohiro Otsuka and Yuuki Sugihara and Jun Yoneda and Shingo Katsumoto and Seigo Tarucha},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.5875},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 3 figures