Mott 绝缘体中由纠缠驱动的手性自旋波动的检测

拓扑有序状态，如手性自旋液体，被提议为容纳分子化激发的候选方案。然而，检测手性特征或接近这些非平凡状态的程度仍然是一个挑战。共振拉曼散射可以是检测手性波动的强大工具，因为 $A_{2g}$ 通道探测具有破坏时间反演对称性和局部手性秩序的激发。本文我们使用 exact 对角化来表征共振 $A_{2g}$ 通道，以及 $B_{1g}$ 和 $E_g$ 通道中的两自旋散射，针对具有日益增加几何自旋纠缠的 Hubbard 模型，其中在靠近 Mott 能隙时微调入射能可见强烈的手性自旋激发强度。Mott 绝缘体中自旋纠缠的增加导致 $A_{2g}$ 拉曼响应整体软化，表明 Mott 绝缘体中具有磁性纠缠趋势向低能手性-手性波动，以及接近能够通过外部扰动调谐的手性自旋液体状态。