忆阻系统中的材料特性与器件性能设计
材料科学
2019-02-06 v1
摘要
现代纳米电子学及其旗舰物联网和人工智能以及许多相关应用的未来发展在很大程度上与忆阻元件相关。该技术提供了广泛的功能，然而它主要遵循唯象方法，进一步发展的关键挑战/限制仍是变异性以及缺乏基础材料设计策略。此处我们展示了材料纯度对决定忆阻器功能的至关重要性，表明百万分之一的外来元素会显著改变性能。通过适当选择掺杂材料的化学组成与数量，我们可以选择性地增强所需的操作模式。我们强调了空间电荷层中和器件电容中依赖掺杂剂的结构与电荷/电势分布如何决定器件动力学与功能。我们首次实验证实了材料特性与开关/神经形态性能之间的关系，从而提供了忆阻器件理性设计的规则与方向。
引用
@article{arxiv.1902.01662,
title = {Design of materials properties and device performance in memristive systems},
author = {Michael Lübben and Felix Cüppers and Johannes Mohr and Moritz von Witzleben and Uwe Breuer and Rainer Waser and Christian Neumann and Ilia Valov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.01662},
year = {2019}
}