晶体管垂直腔面发射激光器的设计与建模
光学
2011-02-17 v1
摘要
设计并数值建模了一种多量子阱晶体管垂直腔面发射激光器。通过对常规VCSEL进行建模并将结果与实验对比，讨论并验证了重要的物理模型和参数。利用量子阱模型模拟了量子俘获/逃逸过程，并发现该过程对T-VCSEL的电学输出有显著影响。从数值模拟中提取的参数被导入解析模型，以预测频率响应并模拟高达40 Gbps的大信号调制。
引用
@article{arxiv.1102.3196,
title = {Design and modeling of a transistor vertical-cavity surface-emitting laser},
author = {Wei Shi and Behnam Faraji and Mark Greenberg and Jesper Berggren and Yu Xiang and Mattias Hammar and Michel Lestrade and Zhi-Qiang Li and Z. M. Simon Li and Lukas Chrostowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.3196},
year = {2011}
}