CoPd薄膜中等离子体诱导差异氧化对磁畴图案的依赖性
材料科学
2021-11-11 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们展示了经电子束光刻和O2等离子体预处理的CoPd薄膜中微图案化磁畴的演化。在长达数天的氧化过程中，通过磁光克尔效应显微镜在不同天数观察到图案化磁畴在磁化反转下显著不同的行为。磁行为的演化表明，由于Co氧化物演变成不同氧化物形式，局域磁各向异性能发生了临界变化，这由微区X射线吸收光谱和X射线光电子能谱表征。预暴露于等离子体的区域的矫顽场可减小至比未暴露区域小10 Oe的值，而在更长氧化时间后，预暴露区域的矫顽场反而可大于未暴露区域，从而导致相反的磁图案。因此，各种氧化形式为当前常规光刻技术之外的磁畴工程提供了额外维度。
引用
@article{arxiv.2111.05767,
title = {Dependence of magnetic domain patterns on plasma-induced differential oxidation of CoPd thin films},
author = {Wei-Hsiang Wang and Chak-Ming Liu and Tzu-Hung Chuang and Der-Hsin Wei and Wen-Chin Lin and Pei-hsun Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.05767},
year = {2021}
}
备注
Supplementary materials available at https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2468023021006544#ec-research-data