基于 VASP 的 CeO$_2$ 态密度计算
材料科学
2025-02-12 v2 计算物理
摘要
本研究利用基于 VASP 软件的密度泛函理论 (DFT) 方法对 CeO 的态密度 (DOS) 进行详细分析。作为一种重要的功能材料，CeO 在催化、光学和电子器件领域具有广泛应用。通过结构优化、自洽电子计算和非自洽计算，我们全面考察了 CeO 的晶体结构和电子能级分布。结构计算得到的晶格参数优化结果表明，CeO 具有稳定的晶体结构。自洽电子计算揭示其带隙约为 2.403 eV，价带上限主要由 O 2p 轨道贡献，导带下限主要来自 Ce 4f 轨道。非自洽计算进一步显示 CeO 的总态密度和部分态密度，确认了 Ce 4f 和 O 2p 态在其电子导电性和光学性质中的重要作用。这些结果不仅为 CeO 在催化和电子材料中的应用提供理论依据，也深化了我们对其基本电子结构特征的理解，为设计和开发新型 CeO 基材料提供了指导。
引用
@article{arxiv.2501.10724,
title = {Density of States Calculation of CeO$_2$ Based on VASP},
author = {Ruyi Hou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.10724},
year = {2025}
}
备注
3 pages, 3 figures