中红外硅拉曼放大器的演示
光学
2009-11-13 v1
摘要
我们首次演示了中红外硅拉曼放大器。在波长 3.39 微米处获得了 12 dB 的信号放大。活性介质为一段长 2.5 cm 的硅样品，由波长 2.88 微米的 5 ns 脉冲泵浦。近红外硅拉曼器件中严重限制性能的非线性损耗的缺失，加之无与伦比的晶体质量和极高的热导率，使硅成为一种极具吸引力的拉曼介质。此类技术有望将硅光子学的应用从近红外数据通信领域扩展到中红外的遥感、生化检测和激光医学领域。
引用
@article{arxiv.0708.1552,
title = {Demonstration of a mid infrared silicon Raman amplifier},
author = {Varun Raghunathan and David Borlaug and Robert Rice and Bahram Jalali},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.1552},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 5 figures