单层SrRuO3中缺陷诱导的交换偏置
材料科学
2018-10-01 v1
摘要
交换偏置源于不同磁相之间的相互作用，因此通常出现在磁性多层膜中。本文展示了由氦离子辐照在单层SrRuO3中诱导出的大交换偏置。当注量增大时，诱导缺陷不仅抑制磁化强度和居里温度，还在低温下驱动金属-绝缘体转变。特别地，通过辐照可产生高达约0.36 T的大交换偏置场。这种大交换偏置与嵌入缺陷引入的不同磁相和结构相的共存有关。我们的工作表明，复杂氧化物中的自旋电子学性质可通过离子辐照来创建和增强。
引用
@article{arxiv.1809.11035,
title = {Defect-induced exchange bias in a single SrRuO3 layer},
author = {Changan Wang and Chao Chen and Ching-Hao Chang and Hsu-Sheng Tsai and Parul Pandey and Chi Xu and Roman Böttger and Deyang Chen and Yu-Jia Zeng and Xingsen Gao and Manfred Helm and Shengqiang Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.11035},
year = {2018}
}
备注
14 pages, 5 figures