电子积累导致的量子比特电荷测量退相干
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v2
摘要
本文研究了在对电荷量子比特进行量子测量期间，由于电子隧穿积累而引起的量子退相干。电荷量子比特是由两个耦合量子点中约束的单个电子构成的。通过量子点接触对量子比特状态进行测量。推导了在电子在量子点接触的源漏之间积累导致的非平衡扰动下的量子比特状态的主方程组。探讨了由于测量期间电子积累而引起的量子比特退相干，并在此框架下获得了若干关于电荷量子比特退相干的有趣结果。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0511281,
title = {Decoherence induced by electron accumulation in quantum measurement of charge qubits},
author = {Ming-Tsung Lee and Wei-Min Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0511281},
year = {2009}
}
备注
14 pages, 6 figures, To appear in Phys. Rev. B