耦合固态量子比特的脱相干与门性能

固态量子比特是实现可扩展量子计算机的有力候选者。然而，由于固态系统通常具有大量额外的自由度，通常受到脱相干的限制。我们研究了两个通过 $\sigma_z^{(i)} \otimes \sigma_z^{(j)}$ 类型耦合的固态量子比特系统。这种设置典用于伪自旋固态量子比特，如电荷或通量系统。我们在 $\sigma_z$ 分别受到 common bath 和两个不相关 bath 耦合的情况下，评估了脱相干特性和门质量因子。我们指出，在低温下，不相关的 bath 会更严重地降低门的质量。特别地，我们指出在 common bath 的情况下，在 very low 温度下，可以实现 CPHASE 门的最佳性能，因为该类型的耦合与脱相干耦合作用相互作用，这使得该类型的耦合相对于之前研究的 $\sigma_y^{(i)} \otimes \sigma_y^{(j)}$ -耦合更具吸引力。尽管这种优势也适用于 CNOT 门，但效果较弱。