四个相交磁通膜的衰变

我们考虑四个相交磁通膜的衰变，这些磁通膜是通过考虑具有四个角动量参数的高维Kerr黑洞得到的，这是弦/M理论中角动量参数的最大数目。由于相交的结果，我们得到低维磁通膜。由于一般的磁场会破坏所有超对称性，所产生的磁通膜是不稳定的，将会衰变。正如单个磁通膜衰变为球形D6膜成核一样，相交的磁通膜衰变为低维球形膜成核。与单个磁通膜的情况相反，四个相交磁通膜的衰变具有额外的衰变通道。我们还计算了相应的欧几里得作用以获得衰变率。尽管该作用不能以磁参数的显式简单形式写出，但通过取磁参数的各种极限，我们可以提取一些有趣的结果。