非金属场发射体中的电流饱和
介观与纳米尺度物理
2018-01-25 v2 材料科学
应用物理
摘要
长期以来，人们已经知道传统半导体（例如本征和掺杂的 Si 与 Ge，或二元 SiC 和 GaN）场发射体显著偏离 Fowler-Nordheim (FN) 定律，并且当试图从中引出微安量级或更大的大电流时会出现饱和。许多实验证实，来自碳基材料（如碳纳米管、非晶碳和多晶金刚石薄膜）的场发射电流同样偏离 FN 定律并发生饱和。这些发现表明，饱和及偏离 FN 定律是适用于非金属场发射体这一类别的广泛且普遍的现象。在本信中，我们报告了一个描述非金属场发射体中电流饱和效应的普适公式。该公式考虑了材料的体性质和场发射体几何结构。
引用
@article{arxiv.1710.03692,
title = {Current Saturation in Nonmetallic Field Emitters},
author = {Stanislav S. Baturin and Alexander V. Zinovev and Sergey V. Baryshev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.03692},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 2 figures, 1 table