基于超高应力晶体 TiN 膜的高 Q 值薄膜共振器
机器人学
2026-02-10 v3
摘要
高品质因数（Q）机械共振器是精准感测与控制机械运动的关键组件。虽然非晶材料如 SiN 在利用应力诱导耗能稀释实现高 Q 值共振器方面已广泛应用，但晶体材料具有通过结合低本征损耗与高拉伸应力实现更高质量因数的潜力。本文展示了基于超高应力晶体 TiN 的高 Q 值薄膜共振器。我们的薄膜共振器拉伸应力超过 2.3 GPa，品质因数达到 （2.2 K）。通过估算稀释因数，我们推断该 TiN 共振器的本征 Q 值相当于 SiN 薄膜共振器。凭借其超高应力与晶体特性，该 TiN 薄膜可作为光电力学系统中高度耗能稀释机械共振器的强大工具。
引用
@article{arxiv.2509.02986,
title = {CTBC: Contact-Triggered Blind Climbing for Wheeled Bipedal Robots with Instruction Learning and Reinforcement Learning},
author = {Rankun Li and Hao Wang and Qi Li and Zhuo Han and Yifei Chu and Linqi Ye and Wende Xie and Wenlong Liao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.02986},
year = {2026}
}