用于单量子发射体纳米级定位的低温光致发光成像系统

我们报道了一种用于相对于对准特征定位单量子发射体的光致发光成像系统。样品在 4~K 闭循环低温恒温器中通过位于恒温器内的高数值孔径（NA=0.9，100$\times$放大倍率）物镜进行探测，从而能够高效收集发射光子，且不受低温恒温器窗口引起的图像畸变影响。在 $>50$~$\mu$m~$\times$~50~$\mu$m 视场内，单个 InAs/GaAs 量子点的位置的确定在 1~s 长采集中具有 $\approx4.5$~nm 的不确定度（一个标准差）。该不确定度通过结合用于定位量子点发射的最大似然估计，以及用于确定对准标记中心的互相关方法来得到。这种定位技术可成为依赖高度受限光学模式与单量子发射体相互作用的纳米光子器件高通量制造的重要一步。