氧化铁纳米管阵列中两种不同磁化反转模式的交叉

本文从理论上研究了通过原子层沉积生长的外径50 nm的氧化铁纳米管有序阵列中的磁化反转，作为管壁厚度$d_{w}$的函数。在薄管（$d_{w}<13$ nm）中，磁化反转通过涡旋畴壁的传播实现，而在厚管（$d_{w}>13$ nm）中，反转由横向畴壁的传播驱动。管间的静磁相互作用导致阵列中矫顽场的降低。我们的计算与最近报道的实验结果一致。我们预测，在所考虑的长度尺度上，涡旋与横向磁化反转模式之间的交叉是一个普遍现象。