利用 2XMM 源对 XMM-Newton EPIC pn 与 MOS 轴上有效面积进行交叉校准
天体物理仪器与方法
2014-05-08 v1 高能天体物理现象
摘要
我们旨在检查 XMM-Newton EPIC pn 和 MOS 仪器轴上有效面积的相对交叉校准精度。将来自 46 个明亮、高计数、非堆积的孤立轴上点源样本的光谱堆叠在一起，并检查模型残差以表征 EPIC MOS 到 pn 的相互校准。MOS1 到 pn 和 MOS2 到 pn 的结果大体非常相似。相机在 1 keV 以下显示出最一致的结果，MOS 相对于 pn 的超出量为 0-2% (MOS1/pn) 和 0-3% (MOS2/pn)。在 3 keV 以上，MOS/pn 比率与能量无关（或仅轻微增加）的超出量一致，分别为 7-8% (MOS1/pn) 和 5-8% (MOS2/pn)。此外，在 1-2 keV 之间存在一个“硅凸起”(silicon bump)，其增强水平为 2-4% (MOS1/pn) 和 3-5% (MOS2/pn)。测试表明，此处采用的方法稳定且稳健。此处呈现的结果提供了迄今为止 XMM-Newton EPIC pn 和 MOS 仪器有效面积最准确的交叉校准。它们指出了进一步研究的领域，以寻找 MOS 与 pn 差异的原因，并允许未来对 EPIC 相机进行修正和可能的校正。
引用
@article{arxiv.1403.3555,
title = {Cross-Calibration of the XMM-Newton EPIC pn & MOS On-Axis Effective Areas Using 2XMM Sources},
author = {A. M. Read and M. Guainazzi and S. Sembay},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.3555},
year = {2014}
}
备注
8 Pages, 2 figures (3 panels), 1 table. Accepted for publication in A&A