含缺陷带隙自旋系统的临界温度与低能激发
强关联电子
2021-01-25 v2
摘要
我们从理论上讨论了三维和准低维单态基态与激发三重态间由能隙分隔的系统中，由磁性和非磁性杂质诱导的磁有序相。利用渗流理论的思想，我们估计了在缺陷浓度 较小时向 Néel 相的转变温度 ，推导了低能元激发的态密度，并考察了这些激发对比热和磁化的贡献。我们得到的 与比热表达式很好地描述了在各种适当系统中获得的可用实验发现：自旋- 二聚体材料、自旋梯状化合物、自旋-Peierls 与 Haldane 链材料。然而，我们的 表达式与此前提出的许多表达式有显著不同。
引用
@article{arxiv.2005.04407,
title = {Critical temperature and low-energy excitations in gapped spin systems with defects},
author = {F. D. Timkovskii and A. V. Syromyatnikov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.04407},
year = {2021}
}
备注
9 pages, 2 figures, 1 table