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掺杂 CeRhIn5 中的临界点反常

强关联电子 2023-10-26 v1

摘要

重费米子化合物 CeRhIn5_5 在 In 被 Sn 部分替代时,可被调控穿过量子临界点。通过这种方式引入了额外的载流子,反铁磁序逐渐被抑制至零温。本文研究了 CeRh(In1x_{1-x}Snx_x)5_5 单晶在 x=4.4%x = 4.4\%6.9%6.9\%9.8%9.8\% 下的温度依赖光学性质。随着 Sn 浓度增加,红外电导显示出 cc-ff 杂化强度的明显增强。在低温下,我们在所有三种化合物的散射率和有效质量的频率依赖中观察到非费米液体行为。此外,在特征温度 T10T^* \approx 10 K 以下,温度依赖电阻率 ρ(T)\rho(T) 遵循 logT\log T 行为,这是非费米液体的典型特征。温度依赖磁化强度在 TT^* 以下也表现出反常行为。我们的研究表明,在 TT^* 以下系统呈现出显著的非费米液体行为,且随着量子临界点的接近,TT^* 单调增加。

关键词

引用

@article{arxiv.2310.16689,
  title  = {Critical-point anomalies in doped CeRhIn5},
  author = {Renjith Mathew Roy and Sudip Pal and Run Yang and Seulki Roh and Soohyeon Shin and Tae Beom Park and Tuson Park and Martin Dressel},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2310.16689},
  year   = {2023}
}