临界掺杂在过掺杂高 Tc 超导体中的量子临界点?
超导电性
2015-06-25 v1
摘要
从夸克移位、熵和输运性质的尺度分析，以及凝聚能、临界电流、超流密度及其他多种物理性质的尖锐峰值，提出在轻度过掺杂高 Tc 超导体中存在一个普遍的临界掺杂点。该临界掺杂点处于掺杂依赖的常规态假 pseudogap 能 Eg 降至零，虽不完全符合，但与量子临界点 (QCP) 具有强烈而不完全的相似性。QCP 场景可能直接解释常规态金属相的非费米液行为以及 HTSC 的整体通用行为。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9911157,
title = {Critical doping in overdoped high-Tc superconductors - a Quantum Critical Point?},
author = {J. L. Tallon and J. W. Loram and G. V. M. Williams and J. R. Cooper and I. R. Fisher and J. D. Johnson and M. P. Staines and C. Bernhard},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9911157},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 10 figures, presented at ICSSS-99, 7 September 1999