欠阻尼电流偏置拓扑约瑟夫森结绝缘态的临界电流
超导电性
2020-09-23 v2
摘要
我们解析地研究了一个欠阻尼电流偏置拓扑约瑟夫森结。首先，我们考虑零温下的简化模型，其中由局域于结上的马约拉纳束缚态（MBSs）形成的非局域费米子态的宇称是固定的，并表明这种情况下从绝缘态到导电态的跃迁由单准粒子隧穿主导，而非像非拓扑约瑟夫森结那样由库珀对隧穿主导。这导致从绝缘态到导电态的跃迁临界电流显著更低。我们提出，若系统长度有限，由于具有不同宇称的态的杂化（由结上及构成结的拓扑纳米线边缘局域的 MBSs 重叠所致），从绝缘态到导电态的跃迁发生在指数级更高的偏置电流处。最后，我们讨论了如何通过在不同的外加磁场值下测量绝缘态的临界电流，从实验上确立 MBSs 的出现。
引用
@article{arxiv.2006.16643,
title = {Critical current for an insulating regime of an underdamped current-biased topological Josephson junction},
author = {Aleksandr E. Svetogorov and Daniel Loss and Jelena Klinovaja},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.16643},
year = {2020}
}