SHINE 注入器耦合器射频反冲与发射度优化
加速器物理
2023-12-11 v1
摘要
耦合器不对称结构引起的耦合器射频反冲，更容易导致低束流能量的 SHINE 注入器发射度增长。文献中已详细研究了耦合器射频反冲及其导致的发射度稀释的计算。本文提供了一种新方法：在超导腔表面放置有耗材料以近似 TESLA 腔的 Q0，并使用 CST 频域求解器模拟电磁场分布，以此计算耦合器射频反冲，并与 CST 粒子跟踪工作室的结果进行校准，两者吻合良好。为最小化 SHINE 注入器的发射度增长，在单腔低温模组中采用了 1.3 GHz 对称双耦合器腔，并对 8 腔低温模组中 8 个腔的旋转角度与排列顺序进行了优化。最终，优化后的发射度低于设计参数。
引用
@article{arxiv.2312.04816,
title = {Coupler RF kick and emittance optimization of the SHINE injector},
author = {Junjie Guo and Duan Gu and Zenggong Jiang and Zhen Wang and Meng Zhang and Qiang Gu and Haixiao Deng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.04816},
year = {2023}
}