Si、C 和 SiC 在熔盐中的腐蚀
计算物理
2018-10-25 v1 材料科学
化学物理
摘要
通过第一性原理分子动力学研究了 Si、C 和 SiC 在氟化物熔盐中的腐蚀。发现 Si 的标准溶解电势小于(更易腐蚀)C 的标准溶解电势。溶解的 Si 吸引 F- 离子并形成 SiF62-,而溶解的 C 物种形成中性的 CF4 分子。在初始腐蚀阶段识别出一种交换机制,其中 Si 先来到表面然后溶解,留下链状和环状的 C 结构。还基于 Be 掺杂讨论了抑制 SiC 腐蚀的策略,包括避免 Be2C 的形成。
引用
@article{arxiv.1810.08604,
title = {Corrosion of Si, C, and SiC in molten salt},
author = {Jianqi Xi and Hao Jiang and Cheng Liu and Dane Morgan and Izabela Szlufarska},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.08604},
year = {2018}
}