图案化超导体-铁磁体条纹中畴壁诱导的低场H-T相图调制

我们针对Nb/Ni双层条纹中磁畴壁诱导的超导转变温度（Tc）调制进行了系统研究。通过将Ni层厚度从20 nm变化至100 nm，我们得以测量涵盖尼尔畴壁与布洛赫畴壁厚度范围的低场Tc-H相图。微磁模拟与磁力显微镜测量证实，布洛赫畴壁相比尼尔畴壁具有更强的面外杂散场。在Ni膜的磁化反转区域观察到Tc受到抑制，其抑制幅度与畴壁所致面外杂散场强度呈线性关系。通过将受抑制区域H-Tc相图的Tc与H-Tc曲线未受影响部分比较，对杂散场大小进行了量化。在布洛赫畴壁下观察到Tc变化超过60 mK，远超以往报道。我们认为，双层的窄条纹几何结构与横向外场最大化了Ni层畴壁对上层超导薄膜的影响，从而导致更大的Tc变化。该观测结果或有助于超导自旋电子学中的畴壁控制开关器件。