基于表面电子里德伯态的受控非门
量子物理
2024-05-07 v4
摘要
由于相干时间长且操控高效，表面电子（SE）为量子计算与量子模拟提供了一个完美的二维平台。本工作中，提出了一种实现受控非（CNOT）门的理论方案，其中两量子比特系统编码于 SE 的四能级里德伯结构之上。态转移通过具有一个中间能级的三能级结构实现。通过同时用两个外电磁场驱动 SE，利用电磁诱导透明（EIT）效应中的暗态来抑制最具耗散性的态的布居并增强对耗散的鲁棒性。在实验可实现的参数下，该方案的保真度为 0.9989。
引用
@article{arxiv.2303.08650,
title = {Controlled-NOT gate based on the Rydberg states of surface electrons},
author = {Jun Wang and Wan-Ting He and Cong-Wei Lu and Yang-Yang Wang and Qing Ai and Hai-Bo Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.08650},
year = {2024}
}