二维半导体中激子复合物的受控动态屏蔽
介观与纳米尺度物理
2017-03-16 v1 材料科学
量子物理
摘要
我们报道了一项关于具有频率相关介电函数的介质中激子动态屏蔽的理论与实验结合研究。我们发展了一个解析模型，表明激子中的粒子间相互作用在从零到该激子特征结合能的频率范围内被屏蔽，具体取决于该激子的对称性与跃迁能量。该动态屏蔽问题随后被简化为简单地求解一个具有有效频率无关势的薛定谔方程。该模型的定量预测通过使用一个测试系统进行了实验验证：二维单层WS2中的中性、带电和缺陷束缚激子，分别由金属、液体和半导体环境屏蔽。光致发光光谱中激子峰的屏蔽引起位移与我们的模型吻合良好。
引用
@article{arxiv.1703.04707,
title = {Controlled dynamic screening of excitonic complexes in 2D semiconductors},
author = {Andrey R. Klots and Benjamin Weintrub and Dhiraj Prasai and Daniel Kidd and Kalman Varga and Kirill A. Velizhanin and Kirill I. Bolotin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.04707},
year = {2017}
}