利用外磁场可控创制纳米级斯格明子
介观与纳米尺度物理
2018-09-13 v1 强关联电子
摘要
为将纳米级磁性斯格明子用作高密度存储器件中的信息载体，需要一种能以较低能量成本在器件指定位置创制所需数量斯格明子的方法。我们在理论上提出，利用具有预制孔洞或缺口的系统，即便对整体样品施加外磁场，也可实现单个斯格明子的可控创制。结果表明，该预制缺陷如同催化剂一般，可降低斯格明子创制的能垒。
引用
@article{arxiv.1809.04331,
title = {Controlled creation of nanometric skyrmions using external magnetic fields},
author = {Masahito Mochizuki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.04331},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 4 figures