具有复跳跃率的一维晶格中的可控单向传输与光子存储

我们研究了一种具有复跳跃率的一维非厄米晶格，它可在适当条件下经绝热消除由准一维锯齿型厄米晶格实现。借助合成磁通，复跳跃率的虚部可由附加相位调制，从而呈现出非互易结构。利用该晶格，可实现对单点和高斯激发的鲁棒单向传输，其免疫于缺陷与背向散射。此外，我们提出了一种基于该非厄米晶格的三明治结构，可用于实现可控光子存储与反转。存储时间与范围可在限度内人工控制，且存储效率可通过有限增益补偿得以提高。本文可控光子传输的提议为单向光子传输开辟了新路径，并为光控与操纵提供了有前景的平台。