阻挫强关联金属中可调控的手性诱导几何霍尔效应
强关联电子
2012-09-27 v1
摘要
电子流穿过具有非共面磁序的局域自旋景观时，会获得几何 (Berry) 相位，从而产生一种独立于材料内自旋 - 轨道耦合的霍尔电压——即几何霍尔效应。我们表明，强关联金属 UCu5 由于其阻挫诱导的磁序，在 T<1.2K 时表现出异常巨大且可调控的几何霍尔效应。霍尔响应的幅度超过了每个原子层 量子霍尔效应的 20%，这相当于作用于电子的有效磁场高达数百特斯拉。UCu5 中存在如此巨大的几何霍尔响应，开启了一个新的研究领域，以探究阻挫在强关联电子材料中的重要作用。
引用
@article{arxiv.1209.6024,
title = {Controllable chirality-induced geometrical Hall effect in a frustrated highly-correlated metal},
author = {B. G. Ueland and C. F. Miclea and Yasuyuki Kato and O. Ayala-Valenzuela and R. D. McDonald and R. Okazaki and P. H. Tobash and M. A. Torrez and F. Ronning and R. Movshovich and Z. Fisk and E. D. Bauer and Ivar Martin and J. D. Thompson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.6024},
year = {2012}
}
备注
article and supplemental information