通过拓扑绝缘体异质结构中的界面工程调控自旋轨道转矩
介观与纳米尺度物理
2020-09-18 v1
摘要
(BiSb)Te 拓扑绝缘体（TI）因其巨大的电荷-自旋转换效率以及由此产生的可用于操控铁磁体（FM）磁化的自旋轨道转矩（SOT）而受到越来越多的关注。然而，转矩的起源仍不清楚，而 TI/FM 界面处杂化态与强材料混合的影响基本上未被探索。通过结合界面化学分析与自旋转移铁磁共振（ST-FMR）测量，我们证明混合在 SOT 的产生中起着关键作用。通过插入合适的正常金属间隔层，材料混合得以减少，界面处的 TI 性质大幅改善，导致 SOT 性质发生强烈变化。观察到类场转矩的显著增强，其抵消并超过了 Oersted 场转矩，这可归因于 Rashba 分裂表面带中的非平衡自旋密度以及自旋记忆损失的抑制。
引用
@article{arxiv.2009.08215,
title = {Control of spin-orbit torques by interface engineering in topological insulator heterostructures},
author = {Frédéric Bonell and Minori Goto and Guillaume Sauthier and Juan F. Sierra and Adriana I. Figueroa and Marius V. Costache and Shinji Miwa and Yoshishige Suzuki and Sergio O. Valenzuela},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.08215},
year = {2020}
}
备注
This document is the unedited Author's version of a Submitted Work that was subsequently accepted for publication in Nanoletters, \copyright American Chemical Society after peer review