陈绝缘体结中的电导振荡：谷-同位旋依赖性与阿哈罗诺夫-玻姆效应

本文在相干区域从理论上研究了量子霍尔石墨烯中双极结产生的陈绝缘体结的输运性质。跨结的相干输运表现出两个介观特征：量子霍尔电导的谷-同位旋依赖性，以及界面通道的阿哈罗诺夫-玻姆（AB）效应。我们证明，谷-同位旋依赖性可在具有完美边缘终止的石墨烯样品中测量，从而在最小陈数情况下导致电导振荡。另一方面，虽然对于较大陈数电导平台不明显，但电导表现出振荡行为，其周期相对长于谷-同位旋依赖的振荡。该电导振荡归因于AB效应，它由结界面附近分裂的金属通道隐式产生。我们指出，先前推测为真实器件中不完整性的电导平台不明显的可能起源是由于不等束分裂导致的低可见度电导振荡。