弱耦合或强耦合至导电通道的量子点的电导显微镜研究

我们利用量子输运的波函数描述和有限差分方法，考虑了连接到导电通道的开放量子点的扫描门电导显微镜技术。我们讨论了电导 ($G$) 图中包含的信息。我们证明，对于弱耦合至通道的量子点，即当通道与量子点的连接仅传输单个输运模式时，类$\delta$势微扰的图精确重现了量子点的局域态密度。我们利用 Lippmann-Schwinger 微扰理论解释了这一发现。我们证明，弱耦合条件的特征是电导在费米能级处有$P$个子带时，其值在$P-1$到$P$之间变化，单位为${2e^2}/{h}$。对于量子点与通道更强的耦合，$G$图仅在费米能量与准束缚能级重合的非常特定的工作点处分辨出局域态密度。