多端半导体-超导体器件的电导矩阵对称性
介观与纳米尺度物理
2022-10-03 v3
摘要
多端半导体-超导体混合器件的非局域隧穿谱是研究母超导能隙以下Andreev束缚态的有力工具。我们考察如何利用系统的微观对称性和几何对称性，在偏置电压无关的静电势分布以及无泄漏电流的假设下，从多端电学或热电微分电导矩阵提取正常和Andreev透射概率的信息。这些假设导出了电导矩阵上的若干对称关系。接下来，通过考虑具有自旋轨道耦合且两端带正常接触的邻近效应半导体纳米线的数值模型，我们展示了如何利用此类对称性识别Rashba与Dresselhaus自旋轨道耦合的方向和相对强度。最后，我们研究了依赖于电压偏置的静电势以及准粒子泄漏如何破坏所导出的对称关系，并考察了这两种贡献的特征信号。
引用
@article{arxiv.2205.11193,
title = {Conductance matrix symmetries of multiterminal semiconductor-superconductor devices},
author = {Andrea Maiani and Max Geier and Karsten Flensberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.11193},
year = {2022}
}
备注
16 pages, 10 figures