使用 OptB88vdW 和 TB-mBJ 方案计算筛选高性能光电材料
材料科学
2018-05-10 v1
摘要
我们使用 OptB88vdW 泛函 (OPT) 和 Tran-Blaha 改进 Becke-Johnson 势 (MBJ) 进行高通量密度泛函理论 (DFT) 计算，以获得光电性质（电子带隙和频率依赖介电函数）。这些数据通过 JARVIS-DFT 数据库公开发布。我们使用这些数据来评估这两种方案之间的差异并量化其准确性，并在适用的情况下与实验数据进行比较。目前，我们有 17,805 个 OPT 和 7,358 个 MBJ 带隙和介电函数。我们发现 MBJ 在预测带隙和介电函数方面优于 OPT，因此它可用于以相对低廉的方式改善 DFT 著名的带隙问题。由 OPT 和 MBJ 获得的介电函数的峰值位置与实验结果具有可比的一致性。数据可在我们的网站 http://www.ctcms.nist.gov/~knc6/JVASP.html 和 https://jarvis.nist.gov 上获取。
引用
@article{arxiv.1804.01032,
title = {Computational screening of high-performance optoelectronic materials using OptB88vdW and TB-mBJ formalisms},
author = {Kamal Choudhary and Qin Zhang and Andrew C. E. Reid and Sugata Chowdhury and Nhan Van Nguyen and Zachary Trautt and Marcus W. Newrock and Faical Yannick Congo and Francesca Tavazza},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.01032},
year = {2018}
}