半导体纳米片中层基于扩散的光致发光动力学
介观与纳米尺度物理
2024-10-24 v1 统计力学
摘要
我们提出一种基于扩散的模拟与理论模型，用以解释半导体纳米片中的光致发光（PL）发射强度。结果表明，PL 强度曲线的形状可由激子的复合、扩散与俘获之间的相互作用再现。短时间下的发射强度为纯指数型，由复合决定。长时间下由表面陷阱中激子的释放主导，并以幂律尾为特征。我们表明，从一种极限到另一种极限的跨接由扩散性质控制。这一中间区域展现出依赖于扩散系数取值的丰富行为。所提方法再现了不同纳米片系统实验曲线的所有特征。
引用
@article{arxiv.2101.06623,
title = {Complex diffusion-based kinetics of photoluminescence in semiconductor nanoplatelets},
author = {Aleksandr A. Kurilovich and Vladimir N. Mantsevich and Keith J. Stevenson and Aleksei V. Chechkin and Vladimir V. Palyulin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.06623},
year = {2024}
}
备注
11 pages, 10 figures