高 Tc 铜化合物中超导性与电荷条纹有序的竞争

建议高 Tc 铜化合物族成员（具有完好 $CuO_2$ 平面）在给定空洞浓度下具有“固有单层超导 $T_c$”，该 $T_c$ 大于实验测得的 $T_c$。这种差异在不同成员之间以不同程度呈现，由于 d 轨道超导态对自生成电荷扰动的异常响应。特别是，任何准弹性电荷条纹有序（源自电子-电子及电子-晶格耦合），都可抑制较大的固有超导 $T_c$。对单层铜化合物族中 $T_c$ 变化的既有实验结果（如 LSCO 与 Bi-2201 低 $T_c$（约 38 K, 33 K）与 Tl-2201 与 Hg-1201 高 $T_c$（约 95 K, 98 K）；LSCO 所见应变诱导 $T_c$ 提升（从 25 K 提升至 50 K））均可定性地解释我们的机制。我们预测在恰当的等向应变下，LSCO 与 Bi-2201 的 $T_c$ 应从 30 余度提升至固有 $T_c$ $\sim$ 90 K，以达到最优掺杂。