温暖 Higgs 扩张中有效耗散通道的比较：基于温暖背景演化

在温暖 Higgs 扩张框架下，本文系统比较了七种由三种基本耗散通道（低温 LT、高温 HT 和阈值 Th 通道）组合构成的七种有效耗散通道。采用统一的温暖背景演化处理、复杂度惩罚及边界一致性检查，本文从最佳拟合点在 ($n_s$, $r$) 平面上的分布、相对 BIC 层级、通道主导模式以及温暖指标等方面进行比较。结果表明，除纯 HT 有效耗散通道 $\Upsilon_{\mathrm{010}}$ 外，其余六种 EDC 的最佳拟合点在 ($n_s$, $r$) 平面上聚集于小区域，约为 $n_s \approx 0.965$ 和 $r \approx (3.68 \to 3.74)\times10^{-3}$。相比之下，$\Upsilon_{\mathrm{010}}$ 从主簇中分离， representative 最佳拟合点位于 $n_s = 0.9552$ 和 $r = 6.0\times10^{-3}$ 附近。在统一扫描和 1200 点精细重评分下，纯 LT 有效耗散通道 $\Upsilon_{\mathrm{100}}$ 保持首位，而 $\Upsilon_{\mathrm{011}}$ 和 $\Upsilon_{\mathrm{111}}$ 仍被排斥，表明在当前边界检验准则下，整体层级稳定。温暖诊断进一步显示，$\Upsilon_{\mathrm{100}}$ 对应 $Q_* \approx 35.7$ 和 $T_*/H_* \approx 1.90\times10^{3}$，处于强温暖 regime；而 $\Upsilon_{\mathrm{011}}$ 的 $T_*/H_* \approx 0.31$，已低于温暖阈值。通道比例、边界检查及受限内部混合探针一致表明，多通道 EDC 的最佳拟合点并不形成稳定的内部混合区域，而更接近单通道主导的 regime。