单晶和纳米晶镍微柱在高应变率下的变形与绝热加热
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2024-12-30 v2 多媒体
摘要
研究了单晶和纳米晶镍的变形行为，使用从准静态到高应变率（最高可达10^3 s^-1）的原位微柱压缩实验。变形在单晶镍中通过位错滑移发生，而在纳米晶镍中则观察到广泛的晶界滑移，当应变率超过1 s^-1时，变形趋向更不均匀、局部化。发现单晶和纳米晶镍的应变率灵敏指数在更高应变率下会发生变化，但两者的总体应变率灵敏性观察到相同。随着越来越多的高应变率微柱压缩实验报道，微柱中的绝热加热问题变得重要。我们报告了基于晶体塑性的有限元模型，用于估计在最高测试应变率下，微柱中绝热加热的空间分布。模拟预计在纳米晶Ni的晶界处温度升高最高可达200 K，而在单晶Ni中则为20 K due to应变局部化。经核磁振射分析的纳米晶镍微柱在10^3 s^-1下压缩后未显示出晶粒生长。
引用
@article{arxiv.2411.14135,
title = {Compact Visual Data Representation for Green Multimedia -- A Human Visual System Perspective},
author = {Peilin Chen and Xiaohan Fang and Meng Wang and Shiqi Wang and Siwei Ma},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.14135},
year = {2024}
}