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对“利用左手材料 Kretschmann-Raether 结构的大负横向位移”的评论 [Appl. Phys. Lett. 87, 221102, 2005]

光学 2007-05-23 v1

作者: Antoine Moreau , Didier Felbacq

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摘要

Wang 和 Zhu 观察到的负位移并非源于表面等离子体激元的激发，而是源于平板中向后传播的泄漏模式。只要正确选择左手材料（LHM）平板的特性，就可以证明使用 KR 结构实际上可以激发泄漏表面等离子体激元。

关键词

负横向位移 Kretschmann-Raether 结构左手材料表面等离子体激元泄漏模式向后传播

引用

@article{arxiv.physics/0702006,
  title  = {Comment on "Large negative lateral shifts from the Kretschmann-Raether configuration with left-handed materials" Appl. Phys. Lett. 87, 221102, 2005},
  author = {Antoine Moreau and Didier Felbacq},
  journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0702006},
  year   = {2007}
}

备注

Accept\'{e} pour publication