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关于一种零热猝灭荧光粉的评论

材料科学 2019-04-19 v1

摘要

Kim及其合作者在最近的一篇文章中报道了一种磷光体Na3-2xSc2(PO4)3:xEu2+(NSPO:xEu2+),其即使在高达200摄氏度时也未表现出热猝灭(TQ)。作者认为零热猝灭源于宿主多晶型性质导致的发射损失补偿,以及由电子-空穴对组成的陷阱向Eu2+的5d能带的能量转移,从而导致辐射复合。温度依赖的激发和发射光谱似乎支持了作者的断言。然而,仔细审视使用NSPO:0.03Eu2+、La3Si6N11:Ce3+和(SrCa)AlSiN3:Eu2+分别作为蓝、黄、红发光组分(以下简称WLED器件)制备的WLED原型在100-1000 mA工作电流下的CIE色度坐标和相关色温(CCT),以及一系列NSPO:xEu2+的光学表征结果,表明所谓的零热猝灭并非事实。该荧光粉的光学表征存在一些可疑之处。在温度依赖的激发和发射光谱中观察到的强度随温度升高而增加,很可能是由晶格热膨胀和相变引起的分光荧光计光程长度变化所导致的陷阱。

关键词

引用

@article{arxiv.1904.08769,
  title  = {Comment on a zero-thermal-quenching phosphor},
  author = {Shirun Yan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1904.08769},
  year   = {2019}
}

备注

10 pages with 1 table and 18 references