应变单层半导体中激子的相干自旋动力学

我们建立了弹性应变下二维过渡金属硫族化物中相干激子自旋-谷动力学的模型。应变将激子辐射双重态分裂为线偏振态。因此，它诱导出一个作用于激子赝自旋并导致其进动的有效磁场。结果，在圆偏振激发下，激子的圆偏振随时间振荡，同时出现随时间振荡的线偏振。我们研究了应变诱导有效磁场与由激子纵-横分裂引起的磁场之间的竞争。我们揭示了二维激子相干自旋动力学的不同 regime。特别地，我们表明对于足够大的应变诱导分裂和纵-横分裂，在激子圆偏振拍频中出现与这些分裂相关的两个频率。