相干增强的 QED 截面在电磁背景场中的研究

我们引入了将真空中的 QED 过程振幅与其对应背景场过程联系起来的形状因子。后者由一个约化 S 矩阵元表征，其中一个或多个光子场算符被经典背景场所替代。在相应的费曼图中，外部光子线被代表经典数的场线所替代。这通过与经典场（及其复共轭）的傅里叶振幅的幂次成正比的因子修正了截面。我们通过比较经典背景中低能光子-光子散射的不同反应通道明确地展示了这一点。我们发现背景场截面通常经历相干增强，并且对于某些反应通道表现出比真空过程更有利的质心能量标度。类似地，相干增强也可能出现在领头阶的正负电子对湮灭到一个光子的过程中，但这与运动学抑制相竞争。通过使用 X 射线自由电子激光作为经典背景，这种抑制可以最小化。