Bi2Se3表面态中的手性轨道角动量
材料科学
2014-01-07 v2 强关联电子
摘要
在金属和拓扑绝缘体（TI）表面的分裂能带中，准粒子自旋与其动量的锁定通常用Rashba效应来理解，即表面态中的自由电子感受到一个有效磁场。另一方面，角动量的轨道部分（OAM）通常被忽略。我们对拓扑绝缘体Bi2Se3进行了圆偏振光角分辨光电子能谱实验和包含自旋轨道耦合的第一性原理密度泛函计算，以研究表面态的局域OAM。我们从结果中表明，Bi2Se3表面态中的OAM十分显著，并且与电子动量方向相反地锁定，形成手性OAM态。我们的发现为在表面态中获得强光致自旋极化电流提供了新的可能性。
引用
@article{arxiv.1103.0805,
title = {Chiral orbital-angular-momentum in the surface states of Bi2Se3},
author = {Seung Ryong Park and Jinhee Han and Chul Kim and Yoon Young Koh and Changyoung Kim and Hyungjun Lee and Hyoung Joon Choi and Jung Hoon Han and Kyung Dong Lee and Nam Jung Hur and Masashi Arita and Kenya Shimada and Hirofumi Namatame and Masaki Taniguchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.0805},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 4 figures, 1 table