石墨烯多层膜电子结构中的手性分解

我们表明，具有最近邻层间隧穿的任意堆叠石墨烯多层膜的低能电子结构由手性赝自旋二重态组成。尽管 $N$ 层系统中二重态的数量取决于堆叠序列，但赝自旋手性之和始终为 $N$。对于每个自旋和谷，$N$ 层堆叠在 E=0 处具有 $N$ 个不同的朗道能级，以及量子化的霍尔电导 $\sigma_{xy} = \pm(4 e^2/h)(N/2+n)$，其中 $n$ 为非负整数。