化学无序作为 Mn3Ga 基 Heusler 体系中自旋极化的工程调控手段
材料科学
2015-03-12 v2
摘要
我们的研究通过关注具有不同自旋的传导电子的迁移率而非其数量，突出了金属中的自旋极化机制。在此，我们通过施加由非化学计量变化引起的化学无序来调控电子迁移率。作为一个实际例子，我们讨论了在四方 Mn3Ga Heusler 材料中建立此类变化的方案。我们使用基于 Kubo-Greenwood 形式体系的自旋投影电导率分量的第一性原理计算来论证这一方法。结果表明，在大多数情况下，即使是用其他过渡元素少量替代 Mn，也可能导致沿四方轴的自旋极化显著增加。
引用
@article{arxiv.1412.3394,
title = {Chemical disorder as engineering tool for spin-polarizationin Mn3Ga-based Heusler systems},
author = {Stanislav Chadov and Sunil Wilfred D'Souza and Lukas Wollmann and Janos Kiss and Gerhard H. Fecher and Claudia Felser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.3394},
year = {2015}
}