线性带电dilaton-Lifshitz解的带电标量准正规模

现有对Lifshitz黑洞解的准正规模研究大多局限于中性标量扰动。本文中，我们研究了在$(3+1)$维带电dilaton Lifshitz黑膜/黑洞背景下，有质量带电标量扰动的波动力学。我们揭示了准正规模对模型参数的依赖关系，如Lifshitz指数$z$、标量扰动场的质量和电荷以及Lifshitz构型的电荷。与中性扰动相反，我们观察到在温度较低的电荷极值附近破坏原始Lifshitz背景的可能性。我们发现，当Lifshitz指数偏离1越多，破坏该构型稳定性越困难。我们还研究了准正态频率实部的行为。与在无电荷黑膜周围中性标量扰动中观察到的过阻尼始于$z=2$且与标量质量无关不同，我们的观察表明，对于带电Lifshitz黑膜，过阻尼起始点不再位于$z=2$，且依赖于标量场的质量。对于带电标量扰动，固定$m_s$时，高$z$下$\omega_R$的渐近值在标量扰动电荷$q_s$增大时更偏离零。未出现过阻尼。